通过控制电子注入和泄漏，有效的绿色INP基于QD-LED

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　　基于绿色的磷化物（INP）基于量子点发光二极管（QD-LED）仍然患有低效率和短期运行寿命，对完全无镉QD的显示器和照明1,2,3构成了关键的挑战。不幸的是，这些限制基于的因素尚不清楚，因此，没有明确的设备工程指南可用。Here, by using electrically excited transient absorption spectroscopy, we find that the low efficiency of state-of-the-art green cadmium-free QD-LEDs (which ubiquitously adopt the InP–ZnSeS–ZnS core–shell–shell structure) originates from the ZnSeS interlayer because it imposes a high injection barrier that limits the electron concentration and trap saturation.我们在实验和理论上都证明，用增厚的ZnSe Interamayer替换了当前使用的Znses Interamayer层中层中的ZNSES Interamayer可以同时改善电子注入和降低泄漏，从而可以实现26.68％和T95的峰值外部量子效率，以达到26.68％和T95的寿命（降至95％的最初1000米的亮度）1000米1000千分之一的最初1000米1000千分之一的数量。在基于绿色INP的QD-LED中排放在543 nm处，以前的最佳值分别为1.6和165。

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