多层石墨烯中的分数量子异常效应

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　　预测，在自发的时间反向对称性破坏2,3,4,5,6中，预测在零磁场处的分数量子异常霍尔效应（FQAHE），即零磁场的分数量子霍尔效应1的类似物。FQAHE的演示可能导致构成拓扑量子计算的基础的非亚洲人7,8,9。到目前为止，仅在Moiré填充因子v> 1/2的扭曲的Mote2中观察到FQAHE（参考文献10,11,12,13）。据信，基于石墨烯的Moiré超级晶格具有较高材料质量和较高电子迁移率的潜在优势。在这里，我们报告了在菱形pentalayer石墨烯-HbnMoiré超晶格中的整数和分数QAH效应的观察。在零磁场上，我们分别观察到v = 1、2/3、3/3、4/7、4/9、4/9、3/7和2/5的量化大厅电阻的平台，分别是Moiré超级刀位的平台，并在纵向电阻RXX中伴随着清晰的倾角。RXY等于V = 1/2，并且与V线性变化，类似于在高磁场的半填充最低Landau水平中的复合费米液体14,15,16。通过调整栅极置换场D和V，我们观察到了从复合费米液体和FQAH状态到其他相关电子状态的相变。我们的系统为探索电荷分数化提供了理想的平台，并在零磁场上（非 - 亚伯利亚）构造7,8,9,17,18,19，尤其是考虑到同一设备中FQAHE和超导区域之间的横向连接。

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